参数	值
产品	未分类
型号编码	NTMD3P03R2G
说明	未分类   8-SOIC SOIC
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5977 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	2 个 P 沟道(双)
FET类型	逻辑电平门
连续漏极电流Id	2.34A
Rds On(Max)@Id,Vgs	85 毫欧 @ 3.05A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	25nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	750pF @ 24V
功率	0.73W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC
封装/外壳	SOIC
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	3.86A