参数	值
产品	未分类
型号编码	NSBA123EDXV6T1G
说明	未分类   SOT-563,SOT-666 SOT-563
品牌	ON(安森美)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8677 [库存更新时间：2025-04-11]
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 5mA,10mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
功率	1/2W
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
FET类型	2 个 PNP 预偏压式(双)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	2.2k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	8 @ 5mA,10V
电阻器 - 基底（R1）	2.2 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）	2.2 千欧
封装/外壳	SOT-563