参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | LND150K1-G |
说明 | 通用MOSFET TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 |
品牌 | Microchip |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6890 [库存更新时间:2025-04-16] |
连续漏极电流Id | 13mA(Tj) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 0V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 10pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±20V |
FET类型 | 耗尽模式 |
Pd-功率耗散(Max) | 360mW(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1000 Ohms@500µA,0V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/外壳 | SOT-23 |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 500V |
连续漏极电流Id | 0.013A |