参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFN110N85X
说明	未分类   SOT227 38.23mm 38.23x25.07x9.6mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	637 [库存更新时间：2024-05-07]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	110 A
漏源极电压Vds	850 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	33 m0hms
栅极电压Vgs	5.5V
最小栅阈值电压	3.5V
栅极电压Vgs	±30 V
封装/外壳	SOT227
晶体管配置	单
引脚数目	4
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1.17 kW
典型接通延迟时间	50 ns
典型关断延迟时间	144 ns
漏源极电压Vds	260 pF @ 25 V
系列	HiperFET
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	25.07mm
长度	38.23mm
高度	9.6mm
正向跨导	72S
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	38.23 x 25.07 x 9.6mm
最高工作温度	+150 °C