参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFN110N60P3
说明	未分类   SOT-227B 38.23mm 38.23x25.07x9.6mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	637 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	90 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	56 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	SOT-227B
晶体管配置	单
引脚数目	4
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1500W
最低工作温度	-55 °C
高度	9.6mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+150 °C
长度	38.23mm
系列	HiperFET, Polar3
宽度	25.07mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	18000 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	77 ns
典型接通延迟时间	63 ns
封装/外壳	38.23 x 25.07 x 9.6mm