IXFL210N30P3

IXYS · 未分类

型号参数与资料

型号
IXFL210N30P3
品牌
IXYS
类别
未分类
FET类型N-Channel
连续漏极电流Id108 A
漏源极电压Vds300 V
Rds On(Max)@Id,Vgs16 m0hms
栅极电压Vgs5V
栅极电压Vgs-20 V、+20 V
封装/外壳ISOPLUS264
晶体管配置单
引脚数目3
FET类型增强
类别功率 MOSFET
功率520 W
最低工作温度-55 °C
高度26.42mm
每片芯片元件数目1 Ohms
最高工作温度+150 °C
长度20.29mm
系列HiperFET, Polar3
宽度5.31mm
晶体管材料Si
漏源极电压Vds16200 pF@ 25 V
典型关断延迟时间94 ns
典型接通延迟时间46 ns
封装/外壳20.29 x 5.31 x 26.42mm

未分类   ISOPLUS264 20.29mm 20.29x5.31x26.42mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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