| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IRLU3110ZPBF |
| 说明 | 功率MOSFET 6.6mm |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 294 [库存更新时间:2026-01-02] |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 48nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3980pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 63A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14mΩ |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| Pd-功率耗散(Max) | 140W |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 宽度 | 2.3mm |
| 系列 | HEXFET |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型关断延迟时间 | 33 ns |
| 典型接通延迟时间 | 24 ns |
| 长度 | 6.6mm |
| 高度 | 6.1mm |


