| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用继电器 |
| 型号编码 | IRLR8729PBF |
| 说明 | 通用继电器 D-Pak DPAK DPAK(TO-252) 6.73x6.22x2.39mm 6.73mm |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 294 [库存更新时间:2026-01-16] |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 58A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC |
| 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1350pF |
| 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 15V |
| 功率 | 55W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.9 毫欧 @ 25A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | D-Pak |
| 封装/外壳 | DPAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 58 A |
| 漏源极电压Vds | 30 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6 m0hms |
| 栅极电压Vgs | 2.35V |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 功率 | 55W |
| 高度 | 2.39mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 封装/外壳 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 系列 | HEXFET |
| 晶体管材料 | Si |
| 漏源极电压Vds | 1350 pF@ 15 V |
| 典型关断延迟时间 | 11 ns |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 6.73mm |


