参数 | 值 |
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产品 | 通用继电器 |
型号编码 | IRLR8729PBF |
说明 | 通用继电器 D-Pak DPAK DPAK(TO-252) 6.73x6.22x2.39mm 6.73mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 294 [库存更新时间:2025-04-15] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 58A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 4.5V |
栅极电压Vgs | ±20V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1350pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 15V |
功率 | 55W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.9 毫欧 @ 25A,10V |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
封装/外壳 | D-Pak |
封装/外壳 | DPAK |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 58 A |
漏源极电压Vds | 30 V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 6 m0hms |
栅极电压Vgs | 2.35V |
最小栅阈值电压 | 1.35V |
栅极电压Vgs | -20 V、+20 V |
封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
FET类型 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
功率 | 55W |
高度 | 2.39mm |
每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
封装/外壳 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
宽度 | 6.22mm |
系列 | HEXFET |
晶体管材料 | Si |
漏源极电压Vds | 1350 pF@ 15 V |
典型关断延迟时间 | 11 ns |
典型接通延迟时间 | 10 ns |
最低工作温度 | -55 °C |
最高工作温度 | +175 °C |
长度 | 6.73mm |