IRLR8726TRLPBF

Infineon(英飞凌) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
IRLR8726TRLPBF
品牌
Infineon(英飞凌)
类别
功率MOSFET
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id86A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)23nC @ 4.5V
栅极电压Vgs±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2150pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs5.8mΩ@25A,10V
工作温度-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳DPAK
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs4.5V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds15V

功率MOSFET   DPAK

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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