参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRLR6225PBF |
说明 | 功率MOSFET 6.73mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6292 [库存更新时间:2025-04-05] |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 50µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 72nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3770pF @ 10V |
工作温度 | -50°C~150°C(TJ) |
连续漏极电流Id | 100A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.2mΩ |
最小栅阈值电压 | 0.5V |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
类别 | 功率 MOSFET |
Pd-功率耗散(Max) | 63W |
每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
宽度 | 6.22mm |
系列 | HEXFET |
晶体管材料 | Si |
典型关断延迟时间 | 63 ns |
典型接通延迟时间 | 9.7 ns |
高度 | 2.39mm |
长度 | 6.73mm |