参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLL024NTRPBF
说明	功率MOSFET   SOT-223
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	2500
现货	2793 [库存更新时间：2024-05-09]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15.6nC @ 5V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	510pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15.6nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	510pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	65mΩ@3.1A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	4.4A
封装/外壳	SOT-223
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V