| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IRLHS6376TRPBF |
| 说明 | 功率MOSFET 6-PQFN(2x2) |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 4000 |
| 最小包 | 4000 |
| 现货 | 8292 [库存更新时间：2025-04-13] |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 270pF @ 25V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | HEXFET® |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 63mΩ@3.4A,4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.8nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 270pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 3.6A |
| 封装/外壳 | 6-PQFN(2x2) |
IC普拉斯 元器件现货
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