参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLHS2242TRPBF
说明	功率MOSFET   6-PQFN(2x2)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8292 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC @ 10V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	877pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	2.1W(Ta),9.6W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	877pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	31mΩ@8.5A,4.5V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	7.2A
封装/外壳	6-PQFN(2x2)