参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLH5030TRPBF
说明	功率MOSFET   8-PQFN(5x6)
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2024-05-17]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	94nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5185pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max)	3.6W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	94nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5185pF @ 50V
Rds On(Max)@Id,Vgs	9mΩ@50A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	13A
封装/外壳	8-PQFN(5x6)