参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRLD110PBF
说明	通用MOSFET   4-DIP HVMDIP
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	660 [库存更新时间：2025-04-09]
连续漏极电流Id	1A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4V,5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.1nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	250pF @ 25V
栅极电压Vgs	±10V
Pd-功率耗散(Max)	1.3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	540m Ohms@600mA,5V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	4-DIP
封装/外壳	HVMDIP
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	1A