参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLB3813PBF
说明	功率MOSFET   TO-220AB
起订量	1
最小包	1
现货	412 [库存更新时间：2024-05-14]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	86nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	8420pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	230W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	86nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	8420pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.95mΩ@60A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	260A
封装/外壳	TO-220AB