参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFTS9342TRPBF
说明	功率MOSFET   6-TSOP
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6292 [库存更新时间：2024-05-01]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	595pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	595pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	40mΩ@5.8A,10V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	5.8A
封装/外壳	6-TSOP