参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFSL7787PBF
说明	功率MOSFET   TO-262
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2292 [库存更新时间：2024-05-01]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.7V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	109nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4020pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	125W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®,StrongIRFET™
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.7V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	109nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4020pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.4mΩ@46A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	75V
连续漏极电流Id	76A
封装/外壳	TO-262