参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFS4310PBF
说明	通用MOSFET   D2PAK D2PAK D2PAK(TO-263) 10.67mm 10.67x9.65x4.83mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	649 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	130A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	250nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7670pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	50V
Pd-功率耗散(Max)	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7 毫欧 @ 75A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	D2PAK
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	130 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	7 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	10.67mm
高度	4.83mm
系列	HEXFET
宽度	9.65mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	7670 pF@ 50 V
典型关断延迟时间	68 ns
典型接通延迟时间	26 ns
封装/外壳	10.67 x 9.65 x 4.83mm