参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFR9N20DPBF
说明	功率MOSFET   6.73mm
起订量	3
最小包	3
现货	416 [库存更新时间：2024-05-12]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	560pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	9.4A
Rds On(Max)@Id,Vgs	380mΩ
最小栅阈值电压	3V
引脚数目	3
晶体管配置	单
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	86W
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	6.73mm
高度	2.39mm
系列	HEXFET
宽度	6.22mm
晶体管材料	Si
典型关断延迟时间	13 ns
典型接通延迟时间	7.5 ns