参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFR3910TRPBF
说明	功率MOSFET   D-Pak 6.5mm
起订量	2
最小包	2
现货	414 [库存更新时间：2025-04-17]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	640pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	44nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	640pF @ 25V
封装/外壳	D-Pak
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	15A
Rds On(Max)@Id,Vgs	115mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	29.3nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	52W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
FET类型	N-Channel
宽度	6.22mm
下降时间	25ns
上升时间	27ns
典型关闭延迟时间	37ns
典型接通延迟时间	6.4ns