参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFR3707ZPBF
说明	通用MOSFET   D-Pak DPAK DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x2.39x6.22mm
品牌	Infineon(英飞凌)
现货	649 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	56A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	14nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1150pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.5 毫欧 @ 15A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	D-Pak
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	56 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.5 m0hms
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	50W
最高工作温度	+175 °C
长度	6.73mm
最低工作温度	-55 °C
高度	6.22mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	71S
正向二极管电压	1V
系列	HEXFET
封装/外壳	6.73 x 2.39 x 6.22mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1150 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	12 ns
典型接通延迟时间	8 ns
宽度	2.39mm