参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFL024ZPBF
说明	通用MOSFET   SOT-223 SOT223 SOT-223 6.7x3.7x1.7mm 6.7mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2025-04-09]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	5.1A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	14nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	340pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	57.5 毫欧 @ 3.1A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-223
封装/外壳	SOT223
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	5.1 A
漏源极电压Vds	55 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	58 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOT-223
引脚数目	3+Tab
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
封装/外壳	6.7 x 3.7 x 1.7mm
系列	HEXFET
宽度	3.7mm
最低工作温度	-55 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	340 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	30 ns
典型接通延迟时间	7.8 ns
高度	1.7mm
最高工作温度	+150 °C
长度	6.7mm