参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFI4510GPBF
说明	功率MOSFET   10.63mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	649 [库存更新时间：2025-04-21]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	81nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2998pF @ 50V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id	35A
Rds On(Max)@Id,Vgs	13.5mΩ
晶体管配置	单
引脚数目	3
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	42W
长度	10.63mm
高度	9.8mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	4.83mm
系列	HEXFET
晶体管材料	Si
典型关断延迟时间	54 ns
典型接通延迟时间	16 ns
正向跨导	55S
正向二极管电压	1.3V