参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFHM792TRPBF
说明	功率MOSFET   8-PQFN(3.3x3.3),Power33
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8291 [库存更新时间：2025-04-22]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 10µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	251pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
Rds On(Max)@Id,Vgs	195mΩ@2.9A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	251pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	2.3W
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	2.3A
封装/外壳	8-PQFN(3.3x3.3),Power33