参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFH7932TRPBF
说明	功率MOSFET   PQFN(5x6) 6mm
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2024-05-24]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	51nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4270pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	51nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4270pF @ 15V
封装/外壳	PQFN(5x6)
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	104A
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.9mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	34nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	3.4W
高度	1mm
长度	6mm
FET类型	N-Channel
宽度	5mm
正向跨导 - 最小值	59S
下降时间	20ns
上升时间	48ns
典型关闭延迟时间	23ns
典型接通延迟时间	20ns