参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFH5206TRPBF
说明	通用MOSFET   PG-TDSON-8 PQFN PQFN(5x6)
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2025-04-07]
系列	HEXFET®
连续漏极电流Id	16A(Ta),89A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	60nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2490pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	3.6W(Ta),100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.7m Ohms@50A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TDSON-8
封装/外壳	PQFN
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	16A
漏源极电压Vds	60V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	60nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2490pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	PQFN(5x6)