| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IRFH4253DTRPBF |
| 说明 | 功率MOSFET PQFN(5x6) |
| 起订量 | 4 |
| 最小包 | 4 |
| 现货 | 418 [库存更新时间：2024-05-23] |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 35µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1314pF @ 13V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | HEXFET® |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.2mΩ@30A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.1V @ 35µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 15nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1314pF @ 13V |
| Pd-功率耗散(Max) | 31W,50W |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 25V |
| 连续漏极电流Id | 64A,145A |
| 封装/外壳 | PQFN(5x6) |
IC普拉斯 元器件现货
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