参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF7907PBF
说明	通用MOSFET   SO8 SOIC 8-SO
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	293 [库存更新时间：2025-04-07]
系列	HEXFET®
FET类型	2N-Channel
连续漏极电流Id	9.1A,11A
Rds On(Max)@Id,Vgs	16.4mΩ@9.1A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	850pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	2W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SO8
封装/外壳	SOIC
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	9.1A,11A
漏源极电压Vds	30V
封装/外壳	8-SO