型号参数与资料
- 型号
- IRF7853PBF
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 100µA |
|---|---|
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | HEXFET® |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.9V @ 100µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1640pF @ 25V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@8.3A,10V |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 8.3A |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1640pF |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V |
| 封装/外壳 | 8-SO |
功率MOSFET 8-SO
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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