| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IRF7811AVPBF |
| 说明 | 功率MOSFET 5mm |
| 起订量 | 95 |
| 最小包 | 95 |
| 现货 | 600 [库存更新时间:2025-12-14] |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1801pF @ 10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 11.8A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 14mΩ |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 8 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W |
| 长度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 系列 | HEXFET |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型关断延迟时间 | 43 ns |
| 典型接通延迟时间 | 8.6 ns |
| 宽度 | 4mm |
| 高度 | 1.50mm |


