参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF7834PBF
说明	功率MOSFET   8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)
起订量	3
最小包	3
现货	416 [库存更新时间：2025-12-10]
25°C时电流-连续漏极(Id)	19A(Ta)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	4.5 毫欧 @ 19A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	2.25V @ 250uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	3710pF @ 15V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	44nC @ 4.5V
功率耗散(最大值)	2.5W(Ta)
封装/外壳	8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	4.5V,10V