参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF7476TRPBF
说明	功率MOSFET   SO8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8291 [库存更新时间：2024-05-08]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	15A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	40nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2550pF @ 6V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8mΩ@15A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SO8
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	6V