参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6894MTRPBF
说明	功率MOSFET   DIRECTFET™MX 6.35mm
起订量	4
最小包	4
现货	417 [库存更新时间：2024-05-02]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	39nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4160pF @ 13V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	39nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4160pF @ 13V
封装/外壳	DIRECTFET™ MX
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	170A
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.7mΩ
栅极电压Vgs	16V
Qg-栅极电荷	29nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	54W
高度	0.7mm
长度	6.35mm
FET类型	N-Channel
宽度	5.05mm