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    IRF6631TRPBF

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    库存:417 Pcs [库存更新时间:2024-05-23]

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    产品概述
    参数
    产品未分类
    型号编码IRF6631TRPBF
    说明未分类   DIRECTFET™SQ MG-WDSON-4
    起订量4
    最小包4
    现货417 [库存更新时间:2024-05-23]
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds30V
    连续漏极电流Id13A(Ta),57A(Tc)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4.5V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 25µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)18nC @ 4.5V
    栅极电压Vgs±20V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1450pF @ 15V
    功率2.2W(Ta),42W(Tc)
    Rds On(Max)@Id,Vgs7.8 毫欧 @ 13A,10V
    工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
    封装/外壳DIRECTFET™ SQ
    封装/外壳MG-WDSON-4

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