参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6618
说明	功率MOSFET   MG-WDSON-5
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	4800
最小包	4800
现货	9888 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	30A(Ta),170A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	65nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5640pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	2.8W(Ta),89W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.2mΩ@30A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	MG-WDSON-5