| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | IRF640N |
| 说明 | 通用MOSFET TO-220 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 208 [库存更新时间：2024-06-06] |
| Moisture Level | NA |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150mΩ |
| 漏源极电压Vds | 200V |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| Tj max | 175.0°C |
| QG | 44.7nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.57 |
| Ptot max | 150.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 22.0nC |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Mounting | THT |
| RthJC max | 1.0K/W |
| 连续漏极电流Id | 18A |
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