参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF6709S2TR1PBF
说明	未分类   DIRECTFETS1 DirectFET™等容S1
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2208 [库存更新时间：2025-04-22]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	12A(Ta),39A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1010pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	13V
功率	1.8W(Ta),21W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.8 毫欧 @ 12A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	DIRECTFET S1
封装/外壳	DirectFET™ 等容 S1