参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF1010ZSPBF
说明	通用MOSFET   D2PAK D2PAK D2PAK(TO-263) 10.67mm 10.67x9.65x4.83mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	75A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	95nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2840pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.5 毫欧 @ 75A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	D2PAK
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	94 A
漏源极电压Vds	55 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	8 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	140W
典型接通延迟时间	18 ns
典型关断延迟时间	36 ns
漏源极电压Vds	2840 pF@ 25 V
晶体管材料	Si
系列	HEXFET
最低工作温度	-55 °C
宽度	9.65mm
最高工作温度	+175 °C
长度	10.67mm
高度	4.83mm
封装/外壳	10.67 x 9.65 x 4.83mm
每片芯片元件数目	1 Ohms