参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPS65R1K5CEAKMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO251-3 TO-251 TO-251
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2025-04-08]
系列	CoolMOS™ CE
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	3.1A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	225pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	28W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.5 Ohms@1A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO251-3
封装/外壳	TO-251
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	3.1A
漏源极电压Vds	650V
封装/外壳	TO-251