参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP60R165CPXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO-220-3 PG-TO220-3 TO-220 10.36x4.57x9.45mm 10.36mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	639 [库存更新时间：2024-05-24]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	21A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 790µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	52nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2000pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
Pd-功率耗散(Max)	192W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	165 毫欧 @ 12A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO-220-3
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	21 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	400 m0hms
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	192W
高度	9.45mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	10.36 x 4.57 x 9.45mm
宽度	4.57mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
系列	CoolMOS CP
晶体管材料	Si
栅极电压Vgs	10 V 时,39 常闭
漏源极电压Vds	2000 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	12 ns
长度	10.36mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C