| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | IPP60R080P7XKSA1 |
| 说明 | 通用MOSFET PG-TO220-3 PG-TO220-3 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 292 [库存更新时间:2025-11-17] |
| 系列 | CoolMOS™ P7 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2180pF @ 400V |
| Pd-功率耗散(Max) | 129W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80 毫欧 @ 11.8A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO220-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 37A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 590µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 51nC @ 10V |
| 封装/外壳 | PG-TO220-3 |


