参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPN95R1K2P7ATMA1
说明	功率MOSFET   TO-261-3
起订量	3
最小包	3
现货	415 [库存更新时间：2025-04-02]
25°C时电流-连续漏极(Id)	6A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	1.2 欧姆 @ 2.7A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	3.5V @ 140uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	478pF @ 400V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	15nC @ 10V
功率耗散(最大值)	7W(Tc)
封装/外壳	TO-261-3
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	950V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V