参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPT029N08N5ATMA1
说明	功率MOSFET   8-PowerSFN
起订量	2
最小包	2
现货	413 [库存更新时间：2025-04-02]
25°C时电流-连续漏极(Id)	52A(Ta),169A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	2.9 毫欧 @ 150A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	3.8V @ 108uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	6500pF @ 40V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	87nC @ 10V
功率耗散(最大值)	168W(Tc)
封装/外壳	8-PowerSFN
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	80V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	6V,10V