参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPL65R660E6
说明	功率MOSFET   8mm ThinPAK8x8
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6288 [库存更新时间：1970-01-01]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	23nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	63W
高度	1.10mm
长度	8mm
系列	CoolMOSE6
宽度	8mm
下降时间	11ns
上升时间	8ns
典型关闭延迟时间	64ns
典型接通延迟时间	10ns
Moisture Level	2a
Rds On(Max)@Id,Vgs	660mΩ
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	7A
RthJC max	2.0 K/W
QG (typ @10V)	23.0 nC
封装/外壳	ThinPAK 8x8
Budgetary Price €€/1k	0.53
Ptot max	63.0W
FET类型	N-Channel
Pin Count	5.0 Pins
RthJA max	65.0K/W
栅极电压Vgs	2.5V,3.5V
Mounting	SMT
工作温度	-40°C~150°C