参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IPI60R299CP |
说明 | 功率MOSFET 10.2mm I2PAK(TO-262) |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 500 |
最小包 | 500 |
现货 | 1287 [库存更新时间:2025-04-09] |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 96W |
高度 | 9.45mm |
长度 | 10.2mm |
系列 | CoolMOSCE |
宽度 | 4.5mm |
下降时间 | 5ns |
上升时间 | 5ns |
典型关闭延迟时间 | 40ns |
典型接通延迟时间 | 10ns |
Moisture Level | NA |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 299mΩ |
漏源极电压Vds | 600V |
连续漏极电流Id | 11A |
RthJC max | 1.3 K/W |
QG (typ @10V) | 22.0 nC |
封装/外壳 | I2PAK (TO-262) |
Budgetary Price €/1k | 1.13 |
Ptot max | 96.0W |
FET类型 | N-Channel |
栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
Mounting | THT |
工作温度 | -55°C~150°C |