| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | IPI60R299CP |
| 说明 | 功率MOSFET 10.2mm I2PAK(TO-262) |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 500 |
| 最小包 | 500 |
| 现货 | 1287 [库存更新时间:2026-02-01] |
| 通道数量 | 1Channel |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 96W |
| 高度 | 9.45mm |
| 长度 | 10.2mm |
| 系列 | CoolMOSCE |
| 宽度 | 4.5mm |
| 下降时间 | 5ns |
| 上升时间 | 5ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40ns |
| 典型接通延迟时间 | 10ns |
| Moisture Level | NA |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 299mΩ |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 11A |
| RthJC max | 1.3 K/W |
| QG (typ @10V) | 22.0 nC |
| 封装/外壳 | I2PAK (TO-262) |
| Budgetary Price €/1k | 1.13 |
| Ptot max | 96.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
| Mounting | THT |
| 工作温度 | -55°C~150°C |


