参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPI041N12N3GAKSA1
说明	通用MOSFET   TO-262 PG-TO262-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	121 [库存更新时间：2025-04-11]
系列	OptiMOS™
连续漏极电流Id	120A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 270µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	211nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	13800pF @ 60V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.1m Ohms@100A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-262
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	120A
漏源极电压Vds	120V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	211nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	13800pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	60V
封装/外壳	PG-TO262-3