参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | IPG20N06S415AATMA1 |
说明 | 通用MOSFET PG-TDSON-8 PG-TDSON-8-10 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 292 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | 2N-Channel |
FET类型 | 标准 |
漏源极电压Vds | 60V |
连续漏极电流Id | 20A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 15.5 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 20µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 29nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2260pF @ 25V |
Pd-功率耗散(Max) | 50W |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
封装/外壳 | PG-TDSON-8 |
封装/外壳 | PG-TDSON-8-10 |