参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD60R950C6
说明	功率MOSFET   PG-TO252-3 6.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：1970-01-01]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	280pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	4.4A
Rds On(Max)@Id,Vgs	860mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	13nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	37W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	CoolMOSC6
FET类型	N-Channel
宽度	6.22mm
下降时间	13ns
上升时间	8ns
典型关闭延迟时间	60ns
典型接通延迟时间	10ns