型号参数与资料
- 型号
- IPD65R950CFDBTMA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 3.9A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14.1nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 380pF @ 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 36.7W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 950 毫欧 @ 1.5A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
通用MOSFET PG-TO252-3 TO-252-3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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